[发明专利]三维存储器系统芯片

摘要

本发明提供了一种含有半3D－M层的三维存储器系统芯片(3DM－SoC)。它充分利用了三维存储器(3D－M)可堆叠于衬底电路上的特点，将SoC芯片中嵌入式存储器上的闲置互连线层转化为3D－M。该转化过程以极低的额外工艺成本，在基本不增加芯片面积的前提下能极大地增加SoC的存储容量，提高其性能。本发明还提供了一种具有大3D－M基本阵列的3DM－SoC，它可以避免因3D－M与系统的集成而需要对独立衬底电路块的版图进行改动。

主权项

1.一种三维存储器系统芯片，其特征在于含有：一基于衬底晶体管的嵌入式数据处理器(0EP)和一基于衬底晶体管的嵌入式存储器(0EM)；一半三维存储层(3DM)，该半三维存储层堆叠于至少部分所述嵌入式存储器(0EM)上，且不堆叠于至少部分所述嵌入式数据处理器(0EP)上。