[发明专利]胶冻切割成型法生产高性能氧化铝系陶瓷基片的生产工艺无效
| 申请号： | 200410039133.6 | 申请日： | 2004-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1654417A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 沈毅 | 申请（专利权）人： | 河北理工学院 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B33/28;C04B41/88;B28B11/12;B28B11/14 |
| 代理公司： | 唐山永和专利事务所 | 代理人： | 张云和 |
| 地址： | 063000河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种胶冻切割成型法生产高性能氧化铝系陶瓷基片的生产工艺。它以氧化铝系超细料粉为基料，将3.5－4.5wt％的有机单体、0.15－0.25wt％的交联剂及2－4wt％的分散剂配制成浓缩液，再加入17－20wt％的水配制成预混液；将基料加入该预混液中，球磨2小时，待其粘度合适后，加入0.2－0.4wt％的引发剂，球磨10分钟，再加入0.2－0.4wt％的催化剂，球磨10分钟制成料浆；将料浆注入玻璃模具中，在60－70℃下固化成棒状素坯，然后脱模；将脱模后的素坯浸入水中3－6小时，使之成为橡胶状材料，再进行切片、打孔、干燥、烧结和镀电极。该工艺制成的基片体积密度均匀，烧成后不翘曲，加工的孔洞形状不变，是生产耐高压的高性能氧化铝系电子基片优选方法。 | ||
| 搜索关键词： | 胶冻 切割 成型 生产 性能 氧化铝 陶瓷 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、一种胶冻切割成型法生产高性能氧化铝系陶瓷基片的生产工艺，该工艺步骤是：a、以氧化铝系超细料粉为基，将3.5-4.5wt％的有机单体、0.15-0.25wt％的交联剂及2-4wt％的分散剂配制成浓缩液，再加入17-20wt％的水配制成预混液；b、将氧化铝粉加入该预混液中，球磨2小时，待其粘度合适后，加入0.2-0.4wt％的引发剂，球磨10分钟，再加入0.2-0.4wt％的催化剂，球磨10分钟制成符合要求的料浆；c、将上述料浆注入玻璃模具中，在60-70℃下固化成棒状素坯，然后脱模；d、将脱模后的素坯浸入水中3-6小时，使之成为橡胶状材料，进行切片、打孔加工工艺至达到成品的形状和尺寸要求，然后进行干燥、烧结和镀电极工艺过程。
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