[发明专利]一种磁性插层结构缓释型5-氨基水杨酸及其制备方法无效
申请号: | 200410037655.2 | 申请日: | 2004-04-29 |
公开(公告)号: | CN1689576A | 公开(公告)日: | 2005-11-02 |
发明(设计)人: | 段雪;张慧;孙辉 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | A61K31/60 | 分类号: | A61K31/60;A61K9/20;A61P1/04;A61P1/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何俊玲 |
地址: | 100029北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种磁性超分子插层结构缓释型5-氨基水杨酸及其制备方法。本发明以尖晶石型NFe2O4为磁性物种,阴离子层状材料LDHs为主体,5-氨基水杨酸为插层客体,先将尖晶石纳米粉体加入含二价、三价金属离子的可溶性混合盐溶液中,再同含5-氨基水杨酸的碱溶液经插层组装得到超分子结构5-ASA-LDHs/NFe2O4。该磁性5-氨基水杨酸缓释剂为壳核型结构组成,即在NFe2O4纳米颗粒外包覆层状材料5-ASA-LDHs,其比饱和磁化强度为1.0-4.0emu/g,其颗粒粒度在25-120nm左右。本发明赋予药物以磁性,在外磁性的引导下可靶向药物至病灶部位,可缩短治疗时间、提高治疗效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁性 结构 缓释型 氨基 水杨酸 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁性5-氨基水杨酸缓释剂型,其经验化学式可表示为:(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(5-ASA-)a(Bn-)b·mH2O/NFe2O4其中M2+是Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任意一种;M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任意一种;5-ASA-为层间的5-氨基水杨酸一价阴离子;Bn-为电荷数为n的无机阴离子,Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种、二种或三种;0.1<X<0.8;a、b分别为5-ASA-、Bn-的数量,且a、b满足a+n×b=X;m为结晶水数量,0.01<m<4;NFe2O4为尖晶石型磁性物种,N是Mg2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Mn2+中的任何一种。
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