[发明专利]双镶嵌工艺中两阶段去除介层洞光阻的方法

摘要

本发明涉及一种双镶嵌工艺中两阶段去除介层洞光阻的方法，可以避免导线沟渠变形。首先，第一步骤中以惰性气体(如氦气、氩气、氮气等)/四氟甲烷(CF₄)等离子体对介层洞光阻进行反应时间小于20秒的短时间接触。然后，在第二步骤中以还原性气体等离子体去除剩余的介层洞光阻，可避免对含碳量较高的低介电常数材料构成伤害。

主权项

1.一种双镶嵌工艺中两阶段去除介层洞光阻的方法，包含有下列步骤：提供一半导体基底，其上依序形成有介电层、形成于该介电层上的硬屏蔽层，以及设于该硬屏蔽层上的第一抗反射底层，其中所述硬屏蔽层至少包含有一金属层；于第一抗反射底层上形成一沟渠光阻层，其具有导线沟渠开口可暴露出部分的第一抗反射底层；通过所述导线沟渠开口蚀刻第一抗反射底层以及硬屏蔽层，以在硬屏蔽层蚀刻一凹陷沟渠；去除所述沟渠光阻层以及第一抗反射底层；沉积第二抗反射底层，并填满硬屏蔽层上的凹陷沟渠；于第二抗反射底层上形成一介层洞光阻层，其具有介层洞开口暴露出部分的第二抗反射底层；通过介层洞开口蚀穿第二抗反射底层、硬屏蔽层以及蚀刻部分介电层，以在介电层蚀刻一介层洞凹陷；以及以两阶段去除介层洞光阻层，包含有第一步骤：以惰性气体/氟烷等离子体对该介层洞光阻进行反应时间小于20秒的短时间接触，然后，进行第二步骤：以还原性气体等离子体去除剩余的介层洞光阻。