[发明专利]表面处理装置无效
| 申请号： | 200410037297.5 | 申请日： | 2004-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1550903A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 本多稔;野中龙;光冈一行 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种表面处理装置，它可降低电子束能量，同时，可使结构简单化。表面处理装置1，包括在真空室2内部大致水平地放置半导体晶片W的载置台3、设置在真空室2顶部并且对半导体晶片W照射电子束的电子束照射机构6、和设置在载置台3和电子束照射机构6之间的自电场发生装置13。该自电场发生装置13由多个与电子束照射机构6的照射窗6b一一对应地配置的带电板13a构成，该带电板13a为平板状，在与照射窗6b相对的平面上具有通过电子束的5个狭缝13b，同时，还具有由导体构成的内部部件13c、由覆盖该内部部件13c的绝缘体构成的外部部件13d和将内部部件13c接地的导线13e。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种表面处理装置，其特征在于，包括：在内部处理被处理体的处理室；安装在该处理室内部且放置所述被处理体的载置台；和在所述处理室的上方与所述载置台相对地设置、且向所述被处理体照射电子束的电子束照射机构，在该表面处理装置中具有：设置在所述电子束照射机构和所述载置台之间，且产生自电场的自电场发生器。
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