[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。根据本发明，提供一种使用简化的步骤制造半导体器件的方法，同时提高半导体器件中的每个元件的电性能。在其上形成有存储栅电极、控制栅电极和栅电极的半导体衬底上依次形成氧化硅膜、氮化硅膜、以及氧化硅膜。然后通过湿刻蚀除去在栅电极上形成的氧化硅膜。通过各向异性干刻蚀依次除去在半导体衬底上形成的氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜，由此形成具有相对大的宽度和相对小的宽度的侧壁隔片。

主权项

1.一种半导体器件，包括：可重写非易失性存储单元，具有用于存储的第一场效应晶体管；以及电路，该电路具有在半导体衬底上方的不同区域中形成的第二场效应晶体管，所述半导体器件包括：(a)所述第一场效应晶体管的第一栅电极；(b)在所述第一栅电极的侧壁上方形成的第一侧壁隔片；(c)所述第二场效应晶体管的第二电极；以及(d)在所述第二栅电极的侧壁上方形成的第二侧壁隔片，其中所述第一侧壁隔片的宽度不同于所述第二侧壁隔片的宽度。