[发明专利]铁电薄膜的化学液相交替沉积方法无效

专利信息
申请号: 200410036793.9 申请日: 2004-04-30
公开(公告)号: CN1644762A 公开(公告)日: 2005-07-27
发明(设计)人: 刘敬松;张树人;杨成韬 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C22/73 分类号: C23C22/73
代理公司: 成都虹桥专利事务所 代理人: 刘勋
地址: 610054四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 铁电薄膜的化学液相交替沉积方法,涉及一种铁电薄膜沉积技术。本发明在基底材料上交替涂覆前驱体溶液,利用层间合成反应制备铁电薄膜。本发明的有益效果是,因为每次旋涂得到薄层很薄,在纳米级,并且第一个薄层热处理后得到的晶粒粒径很小,只有十几个纳米,尺度在纳米级的薄层化学活性很高,所以可以降低热处理温度。本技术与传统方法相比,最高热处理温度要低 100℃。而且采用本发明,制备薄膜的速度可以大为提高。
搜索关键词: 薄膜 化学 相交 沉积 方法
【主权项】:
1、铁电薄膜的化学液相交替沉积方法,其特征在于,在基底材料上交替涂覆前驱体溶液,利用层间合成反应制备铁电薄膜。
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