[发明专利]半导体器件的制造方法、柔性衬底和半导体器件无效

专利信息
申请号: 200410036698.9 申请日: 2004-04-28
公开(公告)号: CN1542934A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 内藤克幸 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/58;H01L23/12;H01L23/48;G02F1/1345
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体芯片6被安装在柔性衬底1上,其中,待要连接到半导体芯片6的元件表面上的凸出电极7的内部连接电极4,以及用来连接内部连接电极4和待要连接到外部器件的外部连接电极的金属丝3,被提供在绝缘膜2的表面上。内部连接电极4、金属丝3、以及绝缘膜2的表面,被保护膜5涂覆。借助于将半导体芯片6的元件表面安排成面对柔性衬底1,并使元件表面上的凸出电极7穿入保护膜5,来将凸出电极7和内部连接电极4连接。此半导体器件制造方法使得有可能防止离子迁移并减少各个金属丝之间发生短路。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 柔性 衬底
【主权项】:
1.一种借助于在柔性衬底上安装半导体芯片制造半导体器件的方法,其中,待要连接到提供在半导体芯片的元件表面上的多个凸出电极的多个内部连接电极,以及用来连接该内部连接电极和待要连接到外部器件的多个外部连接电极的多个金属丝,被提供在绝缘膜的表面上,且内部连接电极、金属丝、以及绝缘膜的表面,被保护膜涂覆,其特征在于包含下列步骤:将元件表面定位成面对柔性衬底;以及借助于使凸出电极穿入保护膜而使凸出电极和内部连接电极连接。
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