[发明专利]分割半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200410035229.5 | 申请日： | 2004-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1534763A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 川合章仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蔡民军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 分割半导体晶片的方法包括：用于管芯键合的键合膜粘附于半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带至背面粘附有键合膜的半导体晶片键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步骤；沿间隔通过施加激光束把粘贴了保护性粘附带的半导体晶片分割成单个半导体芯片的分割步骤；通过延伸保护性粘附带以便对键合膜产生拉力，划开每个半导体芯片的键合膜的键合膜划开步骤；以及从保护性粘附带移除带有粘贴到半导体芯片并被划开的键合膜的半导体芯片的半导体芯片移除步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、分割具有在正面以网格方式形成的许多间隔以及在许多区域中形成的电路的半导体晶片的方法，这些区域通过许多间隔隔开成单个半导体芯片，包含：将用于管芯键合的键合膜粘附在半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带于背面粘附有键合膜的半导体晶片的键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步骤；从粘贴了保护性粘附带的半导体晶片的正面沿间隔施加激光束，把半导体晶片分割成单个半导体芯片的分割步骤；通过延伸保护性粘附带以便对键合膜产生拉力，划开每个半导体芯片的键合膜的键合膜划开步骤；以及从保护性粘附带移除带有粘贴到半导体芯片并被划开的键合膜的半导体芯片的半导体芯片移除步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
