[发明专利]用碳纳米管形成半导体装置用导电线的方法及半导体装置有效
| 申请号： | 200410034828.5 | 申请日： | 2004-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1542920A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 崔原凤;裵恩珠;堀井秀树 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8239;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种使用碳纳米管来形成用于半导体装置的导电线的方法以及用该方法制造的半导体装置。该方法包括：采用表面预处理法活化半导体装置的电极的表面；在电极表面上形成一绝缘层并在该绝缘层中形成一接触孔，以使得电极的部分活化表面暴露在外；通过接触孔向电极的活化表面通入含碳元素的气体，以在电极的活化表面上生长形成导电线的碳纳米管。电极表面的活化过程可被在电极表面上形成催化金属层的步骤所代替。按照该方法，具有高电流密度的碳纳米管可形成用于半导体装置的导电线，并因此可制造出超高集成化的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 形成 半导体 装置 导电 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成用于半导体装置的导电线的方法，该方法包括：(a)使用表面预处理方法活化所述半导体装置的电极表面；(b)在该电极表面上形成一绝缘层，并在该绝缘层中形成一接触孔，使得该电极的部分活化表面暴露在外；以及(c)通过该接触孔向该电极的活化表面通入含碳元素的气体，以在该电极的活化表面生长形成所述导电线的碳纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
