[发明专利]半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200410034639.8 申请日: 2004-04-19
公开(公告)号: CN1538511A 公开(公告)日: 2004-10-20
发明(设计)人: 梅本光雄;谷田一真 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;罗姆股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/58;H01L21/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李贵亮;杨梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置的制造方法,可实现高可靠性的半导体芯片的电极和衬底的电连接。在衬底2上未形成第一电极3的区域涂敷密封树脂4。准备端部形成有第二电极7的半导体芯片6,使该半导体芯片6的表面与衬底2的表面相对配置,自其背面使第一可动板8a向下动,按压半导体芯片6的端部,从而将第二电极7与第一电极3压接。然后,自其背面使第二可动板8b向下动,按压半导体芯片6的中央部,将密封树脂4填充在衬底2和半导体芯片6之间的空间中。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,其包括:准备形成有第一电极的衬底,在该衬底上未形成所述第一电极的区域涂敷密封树脂的工序;准备端部形成有第二电极的半导体芯片,使该半导体芯片的表面与所述衬底的表面相对配置,自其背面按压所述半导体芯片的端部,从而将所述第二电极与所述第一电极压接的工序;然后,自其背面按压所述半导体芯片的中央部,将所述密封树脂填充在所述衬底和所述半导体芯片之间的空间中的工序。
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