[发明专利]基于磁电阻效应的微声学器件无效
| 申请号： | 200410034143.0 | 申请日： | 2004-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1571582A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 任天令;刘理天;欧阳可青;朱一平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H04R23/00 | 分类号： | H04R23/00;H04R7/02;H04R7/16;H04R31/00;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件领域的一种基于磁电阻效应的微声学器件。该器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜结构和沉积有磁电阻多层膜的固定结构构成。其可动振膜结构，由底层向上依次由硅衬底、二氧化硅、氮化硅层、永磁材料层和二氧化硅层复合而成，固定部分的结构与可动振膜部分相同，只是将永磁材料层换成GMR磁电阻多层膜。本发明利用可动振膜和磁电阻多层膜实现电声信号之间的转换，从而得到极高灵敏度、低噪声、响应范围宽的微声学器件，且后续的处理电路非常简单，由于工艺步骤简单，其产品的性能可靠、成品率高且适应大批量生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 效应 声学 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁电阻效应的微声学器件，由基于磁电阻效应的微声学器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜部分和沉积有磁电阻多层膜的固定部分构成；其特征在于：所述的可动振膜结构为由底层向上依次是硅衬底(8)、热氧化二氧化硅(7)、氮化硅层(6)、热氧化二氧化硅(7)、低温生长二氧化硅(9)、永磁材料层(11)和增强二氧化硅层(12)组成复合膜从硅衬底(8)上伸出来形成悬臂振膜结构；所述固定部分的结构与可动振膜部分相同，只是将永磁材料层(11)换成GMR磁电阻多层膜(10)；在悬臂振膜与固定部分之间腐蚀出一条断槽(13)；在两部分的硅衬底(8)背面依次沉积热氧化的二氧化硅(7)和氮化硅层(6)，两部分的背面还有背腔(14)。
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