[发明专利]钽酸锂基片及其制备方法有效
| 申请号： | 200410033600.4 | 申请日： | 2004-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1540045A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 梶谷富男;角田隆 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02;C30B33/04;H01L41/22;H01L41/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;杨淑媛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在钽酸锂基片中，防止了在基片的表面电荷的累积而产生的火花，从而防止对LT基片表面形成的梳型结构的破坏和LT基片内的裂纹等。此外，在光刻方法中，避免进入LT基片的光线从LT基片的后表面反射回前表面，防止对梳型结构分辨率破坏。在从LT晶体制备LT基片的制备过程中，在晶体生长后，将坯料形式的LT基片包埋在碳粉末中，或置于碳容器中，然后维持650℃至1650℃的温度至少4小时进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 钽酸锂基片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.具有热处理的受热历程的钽酸锂基片，其中坯料形式的钽酸锂维持在650℃至1650℃的温度，并在碳粉末中包埋，或置于碳容器中。
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