[发明专利]数据处理器无效
| 申请号: | 200410032946.2 | 申请日: | 2004-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN1542853A | 公开(公告)日: | 2004-11-03 |
| 发明(设计)人: | 千叶胜一郎;奥村浩司;田中利广 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407;G11C11/4072 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 朱海波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种数据处理器,其实现在片非易失性存储器的高速读取和改进缺陷修复效率。对于一个非易失性存储器,采用这样的非易失性存储单元,其分别具有包括ONO结构的存储器晶体管部分和用于选择该存储器晶体管部分的选择晶体管部分的分离栅极结构。该选择晶体管部分的栅极耐压值可以低于该存储器晶体管部分的栅极耐压值,使得它能够方便地增加读取速度。可以由该数据处理器的复位结构所读取的特定存储区域被分配到该非易失性存储器中的存储区域,并且修复信息等等被存储在该特定存储区域中。传送修复信息的内部电路把由该复制信息所指示的正常存储区域替换为冗余存储区域。因此,不需要用于电熔丝和激光熔丝的编程来指定要被修复的对象。 | ||
| 搜索关键词: | 数据 处理器 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体基片上的数据处理器,其中包括:包含非易失性存储器和中央处理单元的多个内部电路,其中该非易失性存储器包括一个存储器阵列,其中包含电可擦除和可写入的非易失性存储单元,每个非易失性存储单元包括栅绝缘膜、用于存储信息并且在该栅绝缘膜上的电荷存储绝缘膜、在该电荷存储绝缘膜上的存储器栅极,其中该存储器阵列包括特定的存储区域,其能够响应一个复位指令而读取存储在该存储单元中的数据,以及其中从所述特定存储区域读出的数据是用于利用在预定内部电路中的冗余存储区域替换在预定内部电路中的正常存储区域的修复信息。
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