[发明专利]存储器及其制造方法以及半导体装置的制造方法

摘要

用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

主权项

1、一种存储器，具备下述部分：由半导体构成的传导区；设置为与该传导区相邻的第1杂质区；设置为与该第1杂质区分开，且与上述传导区相邻的第2杂质区；由分散开来的多个微粒子构成，存储由上述传导区迁移来的电荷的存储区；设于该存储区和上述传导区之间的电荷可以迁移的隧道绝缘膜；用来分别控制上述存储区的电荷量和上述存储器用传导区的传导率的控制用电极；设于该控制用电极和上述存储区之间的控制用绝缘膜，上述传导区由表面的粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅膜形成，同时上述存储区的微粒子的个数比上述传导区中的晶粒个数多。