[发明专利]半导体模块及其制造方法无效
| 申请号： | 200410032008.2 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1540732A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 臼井良辅;水原秀树;中村岳史 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/12;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体模块及其制造方法，半导体模块可提高绝缘基件和在绝缘基件上形成的绝缘体例如半导体元件的密封树脂或粘接部件之间的粘附性。层间绝缘膜405及由铜构成的配线407构成的配线层多层层积，并在最上层形成抗焊剂层408。在抗焊剂层408表面形成元件410a及410b。元件410a及410b形成由模制树脂415模制的结构。利用选择了特定条件的等离子处理将抗焊剂层408的表面改良，形成微小突起群。在抗焊剂层408的所述面上，在X光电子分光频谱中，设在束缚能284.5eV下检测强度为x，在束缚能286eV下检测强度为y时，y/x的值为0.4以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体模块，其特征在于，其包括：绝缘基件，其设有导体电路；半导体元件，其形成在该绝缘基件上；绝缘体，其与所述绝缘基件及所述半导体元件相接设置，在所述绝缘基件的和所述绝缘体相接的面上形成微小突起群。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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