[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有改善电学特性的半导体器件，该器件具有使用分裂－栅型存储单元结构的非易失存储器并且使用氮化物薄膜作为电荷存储层。在半导体衬底的主表面中形成n型半导体区，然后在半导体区上方形成分裂－栅型存储单元的存储栅电极和电荷存储层。随后，在存储器栅电极的侧表面上形成侧壁，并且在半导体衬底的主表面上方形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案被用作蚀刻掩模，并且通过蚀刻除去半导体衬底主表面的一部分，从而形成凹槽。在形成凹槽的区域中，除去n型半导体区。然后，在用于形成凹槽的区域中形成用于形成选择存储单元的nMIS晶体管沟道的p型半导体区。

主权项

1、一种制造具有非易失存储器单元的半导体器件的方法，该非易失存储器单元包括彼此相邻的第一和第二场效应晶体管，该方法包括下列步骤：(a)通过用第一杂质掺杂半导体衬底的主表面，形成所述第一场效应晶体管第一导电类型的第一半导体区；(b)在所述第一半导体区的上方形成所述第一场效应晶体管的第一栅电极；(c)在所述第一栅电极的所述表面上方形成绝缘薄膜；(d)通过蚀刻，除去与所述第一栅电极和绝缘薄膜相邻区域中的一部分半导体衬底；(e)通过用第二杂质掺杂经过所述步骤(d)的半导体衬底主表面，在所述相邻区域并且通过所述蚀刻除去一部分半导体衬底的区域中，形成与所述第二场效应晶体管第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区；及(f)在所述第二半导体区的上方形成所述第二场效应晶体管的第二栅电极。