[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410031904.7 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1534762A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 和田隆;大録范行;牧浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;H01L21/68;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离迭压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与迭压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动，芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时，对胶带施加水平方向的张力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：第一步，将胶带迭压到主表面上形成了集成电路的半导体晶片的背表面上，之后通过切割将半导体晶片分成许多半导体芯片；以及第二步，向迭压到胶带上的许多半导体芯片中要剥离的半导体芯片以及要剥离的半导体芯片之下的胶带选择性施加振动，以使半导体芯片从胶带上剥离，其中振动频率设为一个1kHz到100kHz范围内的值，振动幅度设为一个从1μm到50μm范围内的值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司，未经株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410031904.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
