[发明专利]薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备无效
| 申请号： | 200410031833.0 | 申请日： | 2004-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1534727A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 平井利充 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/321;H01L21/02;H05K3/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备，该通过在基板上配置功能液而形成薄膜图形的方法，具有在所述基板上形成与所述薄膜图形对应的围堰的围堰形成工序、除去所述围堰间的残渣的残渣处理工序、在除去所述残渣后的所述围堰间配置所述功能液的材料配置工序。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 图形 形成 方法 器件 制造 光电 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜图形的形成方法，通过在基板上配置功能液而形成薄膜图形，其特征在于，具有：在所述基板上形成与所述薄膜图形对应的围堰的围堰形成工序；除去所述围堰间的残渣的残渣处理工序；在除去所述残渣后的所述围堰间配置所述功能液的材料配置工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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