[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200410031622.7 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1534797A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 武田安弘;中野勇男;金田和博;小田真弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：包括具有主表面的第一导电型半导体区域、在所述半导体区域的主表面上以相隔规定间隔夹住沟道区域的方式形成的第二导电型的源极/漏极区域、在所述沟道区域上，通过栅极绝缘膜形成的栅极电极、在所述栅极电极侧面形成的侧壁绝缘膜，将氟导入到跨越所述第一导电型半导体区域和所述第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、所述栅极绝缘膜与所述沟道区域的至少中央区域的界面以及所述栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。
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