[发明专利]制作阻挡层的方法无效

申请号：	200410031228.3	申请日：	2004-03-26
公开（公告）号：	CN1674215A	公开（公告）日：	2005-09-28
发明（设计）人：	陈菁华;郑意中	申请（专利权）人：	力晶半导体股份有限公司
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/3213
代理公司：	北京市柳沈律师事务所	代理人：	陶凤波;侯宇
地址：	台湾省***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种形成钛/氮化钛(Ti/TiN)阻挡层的方法，首先提供一半导体衬底，且半导体衬底上包括至少一导电层，接着进行一化学汽相沉积(CVD)工艺，于导电层上形成一Ti/TiN阻挡层，随后进行一检测程序。若检测出Ti/TiN阻挡层中包括微粒，则进行一重作工艺。
搜索关键词：	制作阻挡方法
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【主权项】：

1.一种形成阻挡层的方法，包括：(a)提供一半导体衬底，且该半导体衬底上至少包括一插孔；(b)进行一化学汽相沉积工艺，于该半导体衬底表面以及该插孔内壁表面上形成一钛/氮化钛薄膜作为该阻挡层；(c)进行一检测程序，其中若检测出该阻挡层中包括微粒，则进行步骤(d)；以及(d)进行一重作工艺，包括：进行一蚀刻工艺，去除该阻挡层；利用一刷洗机刷洗该半导体衬底，以去除微粒；利用一清洗溶液清洗该半导体衬底表面；以及进行另一化学汽相沉积工艺，以于该插孔内形成另一钛/氮化钛薄膜。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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