[发明专利]双包层掺稀土光纤及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410029810.6 申请日: 2004-03-29
公开(公告)号: CN1564033A 公开(公告)日: 2005-01-12
发明(设计)人: 李进延;李诗愈;李海清;蒋作文;陈伟;刘学军;刘革胜 申请(专利权)人: 烽火通信科技股份有限公司
主分类号: G02B6/16 分类号: G02B6/16;C03C25/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 代理人: 倪骏
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种双包层掺稀土光纤及其制造方法,本发明的光纤由掺稀土纤芯、内包层、外包层和保护层构成的。双包层掺稀土光纤的制造方法包括采用管内沉积法在圆管形的石英衬管内壁上沉积掺杂的二氧化硅层,形成内包层;沉积形成掺稀土的芯层;沉积完成后,在缩棒设备上将沉积管熔缩为实心预制棒,反应所需的稀土化合物及其它共掺杂剂蒸气采用专用气柜和高温流量计进行蒸发和控制;将预制棒机械加工成预定的几何形状;然后进行拉丝、涂覆外包层和保护层,固化外包层和保护层得到双包层掺稀土光纤,本发明的掺稀土双包层光纤改善了泵浦光的吸收效率,改善了光纤激光器的增益。
搜索关键词: 包层 稀土 光纤 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种双包层掺稀土光纤,包括:掺稀土纤芯;覆盖在所述掺稀土纤芯外围的内包层,具有预定的几何形状,其尺寸和数值孔径比所述纤芯大得多;覆盖在所述内包层上的外包层;覆盖在所述外包层上的保护层;其特征在于:所述掺稀土纤芯的材料为掺有稀土元素化合物及共掺杂剂的二氧化硅;所述内包层的材料是纯二氧化硅或掺有掺杂剂的二氧化硅;所述外包层的材料为折射率比内包层低的有机化合物;所述保护层的材料为不同于外包层的有机化合物。
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