[发明专利]金属线间的沟填方法无效
| 申请号： | 200410028624.0 | 申请日： | 2004-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1667800A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;姜兆声;郭国权 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属线间的沟填方法，是在多个金属线的表面及侧壁上形成第一介电层，其称为部分高密度电浆沉积。接着，利用氩气/氧气(Ar/O2)的高密度电浆溅镀移除部分此第一介电层，并使得多个金属线的部分侧壁暴露出，之后，再利用高密度电浆氧化物沉积法，以形成第二介电层于第一介电层之上，并完全覆盖多个金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属线间的沟填方法，包含：提供一半导体结构，该半导体结构的表面具有多个金属线；形成第一介电层，使用第一高密度电浆来将该第一介电层沉积于每一该金属线的一表面及一侧壁上；移除该第一介电层，使用第二高密度电浆来移除该第一介电层直至暴露出每一该金属线的该侧壁的一部分，其中，部分该金属线的该表面上具有一近似几何形状的部分该第一介电层；及形成一第二介电层，使用第三高密度电浆来将该第二介电层沉积于该第一介电层之上，并覆盖于该多个金属线之上。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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