[发明专利]半穿透半反射式液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 200410027435.1 申请日: 2004-05-28
公开(公告)号: CN1716025A 公开(公告)日: 2006-01-04
发明(设计)人: 杨秋莲;凌维仪 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种半穿透半反射式液晶显示装置,包括一第一基板、一第二基板、一夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层、一设置在第一基板的上偏光板、一设置在第二基板的下偏光板、一设置在上偏光板与液晶层之间的第一上延迟片、一设置在下偏光板与液晶层之间的第一下延迟片、一设置在第一基板的公共电极及一形成在第二基板的像素电极,其中该液晶层的液晶分子是水平配向,该第一上延迟片与该第一下延迟片是四分之一波片,像素电极、公共电极及夹于其中的液晶层构成多个像素区域,该每一像素区域具有一反射区域及一穿透区域,一第一上补偿片设置在第一上延迟片与液晶层之间,一第一下补偿片设置在第一下延迟片与液晶层之间。
搜索关键词: 穿透 反射 液晶 显示装置
【主权项】:
1.一种半穿透半反射式液晶显示装置,包括一第一基板、一第二基板、一夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层、一设置在第一基板的上偏光板、一设置在第二基板的下偏光板、一设置在上偏光板与液晶层之间的第一上延迟片、一设置在下偏光板与液晶层之间的第一下延迟片、一设置在第一基板的公共电极及一形成在第二基板的像素电极,其中该液晶层的液晶分子是水平配向,该第一上延迟片与该第一下延迟片是四分之一波片,像素电极、公共电极及夹于其中的液晶层构成多个像素区域,该每一像素区域具有一反射区域及一穿透区域,其特征在于:一第一上补偿片设置在第一上延迟片与液晶层之间,一第一下补偿片设置在第一下延迟片与液晶层之间。
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