[发明专利]高速三维集成电路有源层结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种高速三维集成电路有源层结构及制作方法，以提高现有三维集成电路的速度。其方案是分别采用单晶Si和SiGe/Si构建新的三维集成电路的两个有源层。其中，第一有源层采用Si SOI或Si衬底制作n型沟道MOS场效应晶体管nMOS；第二有源层采用SiGe/Si SOI衬底制作p型沟道MOS场效应晶体管pMOS。两层之间采用低温技术实现键合，且第二有源层材料及器件制作也在低温下完成，避免了高温过程对前序有源层器件结构的影响，保证了三维集成电路的交直流电学性能。本发明的有源层结构可用于制作三维CMOS集成电路，也可用于制作BiCMOS集成电路。基于SiGe/Si pMOS场效应晶体管空穴迁移率高的特点，与现有三维集成电路相比，用本发明有源层制作的三维集成电路具有速度快和性能好的优点。

主权项

1.一种高速三维集成电路有源层结构，包括两层，其特征在于第一有源层采用Si SOI结构，即在绝缘层上的单晶硅衬底上制作nMOS场效应晶体管；第二有源层采用SiGe/Si SOI结构，即利用绝缘层上的单晶硅锗/硅制作pMOS场效应晶体管。