[发明专利]集成电路器件形成隔离物后修复等离子体损伤的方法

摘要

一种处理集成电路存储器器件的方法，包括：支持一个部分完成的衬底，该衬底包括多个MOS栅极结构。每个栅极结构具有用来限定栅极结构侧面的垂直区域。该方法形成覆盖在栅极结构之上的保形电介质层。保形电介质层具有预定厚度的材料，该材料覆盖包括垂直区域的每个栅极结构。该方法还通过使用各向异性蚀刻工艺由保形电介质层在栅极结构的侧面形成侧壁隔离物，并且在蚀刻期间暴露了一部分衬底区域，该蚀刻在衬底暴露部分的一个部分造成物理损伤。本方法使用至少一个对栅极结构侧面上的侧壁隔离物和衬底的暴露部分的等离子体处理工艺来对它们进行平滑处理，该工艺包括各向同性蚀刻组分，其中侧壁隔离物的暴露部分产生了预定的表面粗糙度值。

主权项

1.一种处理集成电路器件的方法，所述方法包括：支持一个部分完成的衬底，所述衬底包括复数个金属氧化物半导体栅极结构，每个所述栅极结构具有限定所述栅极结构的侧面的垂直区域，每个所述栅极结构都形成于一个衬底区域的一个表面之上；形成覆盖在所述金属氧化物半导体栅极结构上面的保形电介质层，所述保形电介质层具有预定厚度的材料，这种材料覆盖包括垂直区域的每个所述金属氧化物半导体栅极结构；使用各向异性蚀刻工艺，由所述保形电介质层在所述栅极结构的侧面形成侧壁隔离物；在使用所述各向异性蚀刻工艺形成所述侧壁隔离物期间，暴露一部分所述衬底区域，该蚀刻在所述衬底的暴露部分的一个部分造成了物理损伤；以及将含有各向同性蚀刻组分的等离子体处理工艺应用于所述栅极结构侧面上的所述侧壁隔离物和所述衬底的暴露部分，所述等离子体处理工艺至少具有CF4蚀刻剂类和含O2类物质以稀释含氟类物质，从而减少由所述含氟类物质形成的聚合物，所述蚀刻剂类引起含二氧化硅物质的沉积，以在所述侧壁隔离物的暴露部分和所述衬底暴露部分的所述物理损伤部分之上引起平滑处理，其中所述侧壁隔离物的暴露部分产生了预定的表面粗糙度值。