[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 200410025635.3 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1716561A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;竺明 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 半导体器件的制造方法，在用常规的方法形成浅沟隔离区(STI)和清洗之后，先经过一等离子体氧化步骤，在浅沟隔离区表面形成氧化保护层，以减少后续SiN层缩回步骤中腐蚀剂对Si层的损害。用这样的处理方法可以避免Si层暴露面因腐蚀剂损害变毛糙而引起的漏电流增加和小器件电性发生偏移等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征是，在用常规的方法形成浅沟隔离区(STI)和清洗之后，先经过一等离子体氧化步骤，在浅沟隔离区表面形成氧化保护层，以减少后续SiN层缩回步骤中腐蚀剂对Si层的损害。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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