[发明专利]窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片

摘要

本发明公开了一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，它是利用分子束外延技术在衬底上生长一个单量子阱，再利用衬底剥离技术分别在其上下两面镀膜形成无序型薄膜，使量子阱成为窄带通滤光片的谐振腔层，整个芯片结构为窄带通滤光片式。这种结构可以使量子阱只吸收频率范围较窄的飞秒激光，避免了因飞秒激光频率展宽而引起的THz发光强度降低。作为发光部分的量子阱正好处于窄带通滤光片的谐振腔层，飞秒激光在该结构中多次来回反射，极大地增强量子阱对飞秒激光的吸收，从而提高其THz发光强度。

主权项

1.一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，包括：玻璃基片(1)，其特征在于：在玻璃基片(1)上依次有全反射薄膜(2)、无序型薄膜(5)、单量子阱(4)、无序型薄膜(3)，在单量子阱(4)的上、下二面边缘处有下电极7和上电极6；所说的单量子阱(4)，由AlAs势垒层(401)、AlxGa1-xAs势阱层(402)、GaAs势阱层(403)和AlyGay-1As势垒层(404)组成，其中AlxGa1-xAs势阱层(402)和GaAs势阱层(403)组成一个阶梯势阱；所说的无序型薄膜(3、5)是由低折射率的二氧化硅无序性膜层(301、501)与高折射率的五氧化二钽无序性膜层(302、502)交替叠层多次真空蒸镀组成。