[发明专利]一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法有效
| 申请号： | 200410025197.0 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1584634A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李铁;王翊;王跃林;林心如;奚庆中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新漫传感技术研究发展有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θ规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θb和切割角度θ闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面{111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 100 晶面硅锭 制作 红外 闪耀 光栅 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构，其特征在于光栅闪耀角θb和切割角度θc的关系式为θb+θc＝54.7°。
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