[发明专利]负离子搪瓷及其制作方法无效
| 申请号： | 200410024769.3 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1583633A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 王瑛;蒋伟忠;陈丽芸;叶正涛 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C03C8/22 | 分类号： | C03C8/22;C03C8/04;C03C8/06;C23D1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 200051*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负离子搪瓷及其制作方法。本发明的负离子搪瓷的组分和重量百分比含量包括：搪瓷基料80－95％，电气石5－20％。本发明采用搪瓷作为电气石粉体的载体，能够最大可能发挥电气石产生负离子的功能，将加入电气石粉体的搪瓷制作成各种产品后，如浴缸、面盆、茶缸等，会产生不同的功效。本发明制作工艺简单，成本低廉，安全可靠，可以批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 负离子 搪瓷 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种负离子搪瓷，其特征在于，组分和重量百分比含量包括：搪瓷基料 80-95％电气石 5-20％。
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