[发明专利]铝化学机械抛光的方法与结构有效
| 申请号： | 200410018564.4 | 申请日： | 2004-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1699015A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 俞昌;杨春晓;任自如;黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种对镜结构进行化学机械抛光的方法，这种镜结构可以用于LCOS、DLP显示器、及光学器件等。该方法包括提供一个半导体衬底，例如硅晶圆。该方法形成一个覆盖在半导体衬底之上的第一介电层，并且形成一个覆盖在该介电层之上的铝层。该铝层具有大于20埃的RMS预定粗糙度。该方法图案化该铝层以暴露该介电层的一部分。该方法包括形成一个覆盖在图案化铝层和介电层的已暴露部分之上的第二介电层。该方法去除第二介电层的一部分。该方法使用润色抛光工艺来处理在图案化铝层上的区域，以将图案化铝的表面粗糙度降低到5埃以下并去除在图案化铝上残留的电介质以在该图案化铝上形成镜面。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种对镜结构进行化学机械抛光的方法，所述方法包括：提供一个半导体衬底；形成一个覆盖在所述半导体衬底之上的第一介电层；形成一个覆盖在所述介电层之上的铝层，所述铝层具有大于20埃的均方根预定粗糙度；图案化所述铝层以暴露所述介电层的一部分，所述已暴露部分形成了围绕所述图案化铝层的复数个图案之一的边界，所述复数个图案之一对应一个像素；形成一个覆盖在所述图案化铝层和所述介电层的已暴露部分之上的第二介电层；去除所述第二介电层的一部分以到达图案化铝层的上表面附近的一个区域；通过使用润色抛光工艺，处理覆盖在所述图案化铝层上的区域，以将所述图案化铝的所述上表面的表面粗糙度降低到5埃以下，进而在所述图案化铝的所述上表面之上形成一个镜面，所述镜面对应于所述像素。
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