[发明专利]金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法无效
| 申请号： | 200410018009.1 | 申请日： | 2004-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1569608A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 周勇;杨春生;陈吉安;丁桂甫;王明军 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;G01L1/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法，用于薄膜技术领域。制造方法如下：首先采用光刻和刻蚀形成光刻对准符号和硅刻蚀窗口，套刻符号作为曝光时双面对准符号，保证套刻精度，然后采用溅射方法制备底层，通过光刻在硅片上形成电镀金属薄膜微桥光刻胶图形，其次采用电镀技术电镀金属薄膜微桥，采用物理刻蚀去除底层，最后采用夹具保护、用硅的湿法刻蚀技术去除金属薄膜微桥下面的硅衬底材料。测试方法：在微桥中心放置一刚性压条，保证在微桥中心位置施加一线性载荷，用纳米压痕仪进行微桥加载/卸载曲线测量，其压头为Berkovich三棱锥压头，采用微桥理论模型分析实验测得的加载和卸载曲线，得到薄膜的杨氏模量和残余应力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 制造 方法 及其 力学 特性 测试 | ||
【主权项】：
1、一种金属薄膜微桥的制造方法，其特征在于，采用MEMS技术制备金属薄膜微桥，具体如下：首先采用光刻技术和刻蚀技术形成光刻对准符号和硅刻蚀窗口，套刻符号作为曝光时双面对准符号，保证套刻精度，然后采用溅射方法制备底层，通过光刻技术在硅片上形成电镀金属薄膜微桥光刻胶图形，其次采用电镀技术电镀金属薄膜微桥，采用物理刻蚀技术去除底层，最后采用夹具保护、用硅的湿法刻蚀技术去除金属薄膜微桥下面的硅衬底材料。
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