[发明专利]一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200410017840.5 | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1571126A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 屈新萍;茹国平;李炳宗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;沈云 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化接触层与硅的粘附性好，机械强度高，耐腐蚀性也好，制备方法工艺简单，成本较低，可广泛用于集成电路制造工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 金属化 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基器件的金属化接触层结构，其特征在于在器件的Si基底上形成有金属硅化物层，厚度为10-100nm；其上还镀有金属层，厚度为100-500nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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