[发明专利]利用复合掩膜进行反应离子深刻蚀二氧化硅的方法

摘要

本发明采用金属膜层和光刻胶层相结合的复合掩膜技术，实现对二氧化硅的深刻蚀工艺，属于光通讯领域以及半导体领域。本发明利用光刻胶在反应离子刻蚀过程中不易产生附着颗粒，以及Cr、Al、Ni等金属掩膜在含F等离子体刻蚀二氧化硅的时候刻蚀选择比高的特点。解决了以金属膜为刻蚀掩膜时，刻蚀表面粗糙、射频偏压不能过高、刻蚀速率不快的缺陷，同时可以避免单纯以光刻胶为掩膜侧壁顶角钝化产生的负面影响。本复合掩膜的另外一个特点是所需要的金属膜以及光刻胶厚度比单纯以金属膜或光刻胶作掩膜时所需要的厚度都要少，可以减小成膜工艺和光刻工艺的难度以及工艺成本，提高光刻成品率和最小图形分辨率，而且实现简单。

主权项

1、一种利用复合掩膜进行反应离子深刻蚀二氧化硅的方法，该方法包括以下步骤：(1)在二氧化硅波导层表面沉积一层金属膜；(2)在金属膜的表面旋覆光刻胶，经过光刻工艺得到光刻胶图形；(3)对金属层刻蚀，把光刻胶图形复制到金属膜，光刻胶层继续保留在样片表面，与抗刻蚀金属膜层结合构成复合掩膜层；(4)将样片放入反应离子刻蚀机的刻蚀腔体进行二氧化硅波导的刻蚀；(5)二氧化硅刻蚀深度6微米至30微米之间，或在光刻胶未被完全刻蚀或刚好刻蚀掉时，结束刻蚀。