[发明专利]光半导体集成电路装置的制造方法

摘要

一种光半导体集成电路装置的制造方法，在现有的光半导体集成电路装置中，反射防止膜的硅氮化膜被作为蚀刻绝缘膜时的蚀刻截止膜使用，通过湿蚀刻一次除去绝缘膜。因此，具有加工精度劣化这样的问题。在本发明的半导体集成电路装置中，在硅衬底(24)上面形成多层配线层后，通过干蚀刻除去光电二极管21的反射防止膜上面的绝缘层。此时，多晶硅膜(51)被作为蚀刻截止膜使用。因此，在本发明的光电二极管中虽会使用干蚀刻，但不会超量蚀刻作为反射防止膜的硅氮化膜，故可防止其膜厚的偏差。其结果是，在本发明的光电二极管中，可提高入射光的感度，实现细微化的结构。

主权项

1、一种光半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：准备半导体衬底，在该半导体衬底上形成半导体层，并在该半导体层上形成光电二极管；在所述光电二极管形成区域的所述半导体层表面形成硅氮化膜后，在该硅氮化膜上形成硅氧化膜；在所述硅氧化膜上形成多晶硅膜；在所述多晶硅膜上面层积绝缘层；利用干蚀刻，由该绝缘层表面除去所述光电二极管形成区域的所述绝缘层；除去所述硅氧化膜和所述多晶硅膜，使所述硅氮化膜露出。