[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200410012008.6 | 申请日： | 2004-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1624934A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吉田哲哉;冈田哲也;斋藤洋明;村井成行;冈田喜久雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;岐阜三洋电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在现有的半导体装置中具有如下问题，主电流流动的主配线部的配线宽度狭窄且均匀形成，由于主配线部的电压下降，使元件内的单元不均一动作。在本发明的半导体装置中，将主电流流动的主配线部24一端241的配线宽度W1设置成比主配线部24另一端242的配线宽度宽。主配线部24的配线宽度从一端241向另一端242逐渐变窄。由此，可降低位于主电流流动的电极焊盘部22近旁的单元和位于远方的单元的驱动电压差。其结果是，本发明可抑制主配线部24的电压下降，并实现元件内单元的均一动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体层，其形成多个单元；多个电流通过区域及控制区域，其自该半导体层的主表面露出；第一配线层，其在所述主表面上和所述电流通过区域电连接；电流通过电极焊盘部，其在所述主表面上和所述第一配线层电连接，其中，所述第一配线层由第一主配线部及从第一主配线部向一方向延伸的多个第一支配线部构成，所述第一主配线部的配线宽度比所述第一支配线部的配线宽度更宽。
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