[发明专利]高速阻挡层抛光组合物有效
| 申请号： | 200410011819.4 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1616574A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 卞锦儒;胡凯;李煦;刘振东;J·匡西;M·R·万哈尼赫姆 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 适用于从半导体衬底上去除阻挡层材料的溶液。该溶液包含：0.01至25wt％的氧化剂，0至15wt％的非铁金属抑制剂，0至15wt％的研磨剂，0至20wt％该非铁金属的配位剂，0.01至12wt％的阻挡层去除剂，和余量的水；该阻挡层去除剂选自亚胺衍生化合物，肼衍生化合物和它们的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 阻挡 抛光 组合 | ||
【主权项】：
1.用于从半导体衬底上去除阻挡层材料的溶液，该溶液包含：0.01至25wt％的氧化剂，0至15wt％的非铁金属抑制剂，0至15wt％的研磨剂，0至20wt％该非铁金属的配位剂，0.01至12wt％选自亚胺衍生化合物，肼衍生化合物和它们的混合物的阻挡层去除剂，和余量的水；而且如使用至少一个等于或小于13.8kPa的垂直于晶片测量的微孔聚氨酯抛光垫压力所测，该溶液具有至少2比1的氮化钽相对于CDO的选择性。
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