[发明专利]发光二极管的封装基板的形成方法有效
| 申请号： | 200410011798.6 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1755950A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈泽澎;邓绍猷;谢政璋 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的封装基板的形成方法，包括提供一硅基板，该硅基板具有一第一面、一第二面及多个贯穿孔；藉由等离子体加强式化学气相沉积(PECVD)技术形成一绝缘层覆盖该第一面及该第二面，并同时形成一绝缘颈环(insulatingcollar)覆盖该多个贯穿孔的内壁；然后形成一导电层覆盖该绝缘层及该绝缘颈环。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的封装基板的形成方法，包括：提供一硅基板，该硅基板具有一第一面、一第二面及多个贯穿孔，该多个贯穿孔贯穿该硅基板；藉由等离子体加强式化学气相沉积技术形成一绝缘层覆盖该第一面及该第二面，及形成一绝缘颈环覆盖该多个贯穿孔的内壁；以及形成一导电层覆盖该绝缘层及该绝缘颈环。
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