[发明专利]制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 200410011728.0 申请日: 2004-09-24
公开(公告)号: CN1601711A 公开(公告)日: 2005-03-30
发明(设计)人: 仓富文司;西田隆文;清水福美 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;B29C45/14;B29C45/26;//B29L31∶34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为在具有密封树脂的布线衬底基体上模制半导体芯片等,将布线衬底基体置于下模的下模型腔台上,此后使上模下降,由此上模的型腔的外部周边部分邻接布线衬底基体的主表面的外部周边部分,使衬底基体充分变形到防止树脂泄漏的程度,此后提供在上模上的挡销下压下模型腔台。根据这种结构,在通过上模和下模两者夹持布线衬底基体时,可以抑制或防止将过大压力施加到布线衬底基体上,因此可以抑制或防止由布线衬底基体的挤压而引起的变形或开裂。因此,提高了半导体器件制造产率。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括如下的步骤:(a)提供衬底;(b)将半导体芯片安装在衬底上;(c)将在其上安装了半导体芯片的衬底置于用于树脂模制的模制模具的模制表面上;(d)保持衬底以便通过模制模具的第一模具和第二模具将该衬底夹在其间;和(e)将密封树脂注入到模制模具的型腔中,其中模制模具的第一模具具有能够在与模制表面交叉的方向上操作的弹性结构,和其中在步骤(d)中,在模制模具的第二模具的模制表面邻接衬底之后,第一模具通过形成在第一模具或第二模具的模制表面上的凸伸部分被下压。
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