[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的课题是缓和半导体器件内的电场集中以谋求高耐压化。在n^－层110的一侧形成成为MOSFET的沟道区的p阱111，在另一侧形成n⁺漏区118。在n^－层110的上方经第1绝缘膜LA形成多个第1浮置场板FA。在其上经第2绝缘膜LB形成多个第2浮置场板FB。在将第1绝缘膜LA的厚度定为a、将第1浮置场板FA与第2浮置场板FB之间的第2绝缘膜LB的厚度方向的距离定为b时，a＞b。

主权项

1.一种半导体器件，具备：第1导电类型的第1半导体区；以夹住上述第1半导体区的方式形成的第2导电类型的第2半导体区和其杂质浓度比上述第1半导体区的杂质浓度高的第1导电类型的第3半导体区；在上述第1半导体区上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成并在上述第1半导体区的上方在从上述第3半导体区朝向上述第2半导体区的第1方向上并排配置的多个第1浮置场板；在上述第1浮置场板上形成的第2绝缘膜；以及在上述第2绝缘膜上形成并在上述第1半导体区的上方在上述第1方向上并排配置的多个第2浮置场板，其中，在将上述第1绝缘膜的厚度定为a、将上述第1浮置场板与上述第2浮置场板之间的作为上述厚度方向的第2方向上的距离定为b时，a＞b。