[发明专利]有机半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200410011448.X | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1638170A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 平形吉晴;石谷哲二;深井修次;今林良太 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在制造使用有机TFT的器件的过程中，主要开发了沟道长度短或沟道宽度窄的元件，以减小器件的尺寸。基于上述讨论，本发明的一个目的提供了一种改善特性的有机TFT。就上述问题而言，本发明的一个特征是在沉积有机半导体薄膜之后烘焙元件。更具体地说，本发明的一个特征是在大气压力条件下或者在减压条件下加热有机半导体薄膜。此外，烘焙处理可以在惰性气体气氛中进行。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造有机半导体元件的方法，其特征在于，该方法包括步骤：形成有机半导体薄膜；和，在大气压力条件下或者在减压的条件下加热所述有机半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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