[发明专利]用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法无效
| 申请号： | 200410010859.7 | 申请日： | 2004-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1697132A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吕有明;梁红伟;申德振;张振中;刘益春;张吉英;范希武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;C01G9/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备，在蓝宝石或硅衬底上生长ZnO薄层，薄层厚度为1～8nm。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流量计和漏阀，对气体流量进行检测和控制。打开离子捕获阱时只有中性粒子进入生长室，关闭时则等离子体进入生长室。由于ZnO极性表面与非极性表面的稳定性不同，在衬底表面形成初始的ZnO纳米环，后继ZnO沿环生长形成纳米管。本发明利用等离子体辅助的分子束外延制备半导体材料，无需引入催化剂或模板，即可定向生长出高质量的ZnO纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 等离子体 辅助 制备 氧化锌 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法，其特征是用等离子体辅助的分子束外延设备，制备出一层超薄ZnO薄膜，薄层ZnO与等离子体作用，在衬底表面形成初始的ZnO纳米环，后继ZnO沿环生长形成纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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