[发明专利]制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 200410009861.2 | 申请日： | 2004-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1779909A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘超;高兴国;李建平;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桢 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法，其特征在于，步骤如下：a.利用气固源分子束外延设备以绝缘体上硅为衬底材料外延生长锗硅合金薄膜；b.再在氧化气氛的石英管式退火炉中进行高温退火处理；c.用湿化学腐蚀法或化学机械抛光法除去材料表面的氧化层。本发明的方法具有工艺路线简单，成本低和适宜于小批量生产的优点，特别是用于制备高锗组分、超薄型绝缘体上锗硅薄膜材料的研制，该材料可作为进一步外延生长绝缘体上应变硅材料(sSOI)的衬底使用而将在高性能硅基CMOS器件的研制中获得广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 绝缘体 上锗硅 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法，其特征在于，步骤如下：a、利用气固源分子束外延设备以绝缘体上硅为衬底材料外延生长锗硅合金薄膜；b、再在氧化气氛的石英管式退火炉中进行高温退火处理；c、用湿化学腐蚀法或化学机械抛光法除去材料表面的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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