[发明专利]具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法无效
| 申请号： | 200410009724.9 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1604228A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 姜勇;于广华;王燕斌 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法。采用二氧化硅基片，通过超高真空等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出金属7～8层膜，然后通过电子束印刷和离子刻蚀的手段制备出纳米尺寸的7～8层膜器件。存储器存储单元包括：底电极层，底隔离层、自由铁磁层、巨磁电阻自旋阀结构或铁磁性隧道结结构。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌散射主自旋的特性，大幅度的降低了在巨磁电阻自旋阀或铁磁性隧道结中实现CIMS所需要的写电流，降低了能量损耗，为实现超高存储密度的MRAM提供了可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 写入 电流 特性 随机 存储器 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单的制备方法，其特征在于：采用二氧化硅基片，通过超高真空等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出金属7～8层膜，然后通过电子束印刷和离子刻蚀的手段制备出纳米尺寸的7～8层膜器件。
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