[发明专利]SOC硅衬底的加工方法有效
| 申请号： | 200410009631.6 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1601707A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨利;张国艳;廖怀林;周毅;宋睿丰;延涛;刘军华;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | soc 衬底 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、一种SOC硅衬底的加工方法，包括以下步骤，1)将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；2)将步骤1)中制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；3)向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；4)开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；5)将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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