[发明专利]高含量贵金属基非晶态合金无效
| 申请号: | 200410009498.4 | 申请日: | 2004-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN1743492A | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
| 发明(设计)人: | 张涛;刘丽;章安玉;门华 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
| 主分类号: | C22C45/00 | 分类号: | C22C45/00 |
| 代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刘秀娟;成金玉 |
| 地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明为非晶态合金领域。它提供了一种高含量贵金属基非晶态合金,其化学成分(原子个数%)为:TM1(a)TM2(b)M(c).TM1=Pd,Pt,Au中的一个或多个;TM2=Fe,Co,Ni,Cu,Zr,Ti,Ag中的一个或多个;M=Si,P,Al,Sn,B,Ga中的一个或多个;a:45-85,b:5-40,c:10-25。本发明的生产方法是先用真空炉熔炼母合金,然后将母合金置于快速凝固装置的感应炉中熔化,熔化后喷溅到铜模上浇铸成非晶态合金棒。这些合金不仅具有较高的非晶形成能力,高含量的贵金属,表面光泽亮度好,而且又同时具有高强度和高韧性,易于生产,可广泛应用于制作首饰和医疗器件。 | ||
| 搜索关键词: | 含量 贵金属 非晶态合金 | ||
【主权项】:
1、高含量贵金属基非晶态合金,其特征在于:化学成分(原子个数%)为:TM1(a)TM2(b)M(c);其中,TM1=Pd,Pt,Au中的一个或多个;TM2=Fe,Co,Ni,Gu,Zr,Ti,Ag中的一个或多个;M=Si,P,Al,Sn,B,Ga中的一个或多个;a:45-85,b:5-40,c:10-25。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410009498.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带有转盘校准辅助装置的高尔夫轻击杆
- 下一篇:内燃机充气量的运算





