[发明专利]结栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 200410009434.4 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1599075A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;黄如;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种结栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该结栅场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及控制栅，控制栅为掺杂的单晶硅，控制栅与体固定连接，形成P－N结。不同于传统的场效应晶体管的结构，即金属－绝缘层－半导体的结构，本发明去除了常规器件中的栅氧，实现了半导体－半导体结构，由于没有了栅氧的隔离，本发明器件的散热效能好，非常适合大规模高密度集成。特别对于双栅结栅场效应晶体管，由于体为正方形设计，故其器件结构为全对称结构，是基于完全相同的n型场效应晶体管和p型场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种结栅场效应晶体管，包括：源区、漏区、体以及控制栅，其特征在于：控制栅为掺杂单晶硅，控制栅与体固定连接，形成P-N结。
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