[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410008644.1 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1531110A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 芳贺泰;滨宗佳 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明披露了一种能够防止发生结泄漏的半导体装置及其制造方法，其特征在于包括：注入了一种导电型杂质的半导体区(103)；在所述半导体区(103)上形成的栅极绝缘膜(105)；在所述栅极绝缘膜(105)上形成的栅电极(106)；以第一注入量在所述半导体区(103)内注入另一种导电型的第一杂质，在从所述半导体区(103)的主平面到第一深度为止的区内形成的低浓度层(109a)；以高于第一注入量低于1×10E15个/cm2的第二注入量，在所述半导体区(103)内注入另一种导电型的第二杂质，在从所述半导体区(103)的主平面到比所述第一深度浅的第二深度为止的区内形成的高浓度层(109b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：掺杂了一种导电型杂质的半导体区；在所述半导体区上形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极；低浓度层，是在所述半导体区内，以第一注入量注入另一种导电型的第一杂质，在从所述半导体区的主平面到第一深度为止的区域内形成的低浓度层；以及高浓度层，是在所述半导体区内，以高于所述第一注入量低于1×10E15个/cm2的第二注入量注入另一种导电型的第二杂质，在从所述半导体区的主平面到比所述第一深度浅的第二深度为止的区域内形成的高浓度层。
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