[发明专利]具多厚度绝缘层上半导体的结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种具多厚度的绝缘层上半导体的结构及其形成方法，提供一晶圆，此晶圆具有重叠位于基材上的埋入绝缘层上的一半导体膜(具有至少两区域)。覆盖半导体膜至少两区域中的一者，以提供具有一第一厚度的至少一半导体膜覆盖部分，保留暴露半导体膜至少两区域中的至少一者，以提供具有第一厚度的至少一半导体膜暴露部分。在一实施例中，至少一暴露半导体膜部分的至少一部分进行氧化，以提供至少一部分氧化、暴露半导体膜部分。接着，此暴露半导体膜的氧化部分被去除，而保留具有小于第一厚度的第二厚度的半导体膜的一部分。

主权项

1、一种形成多厚度绝缘层上半导体的方法，至少包含：提供一晶圆，该晶圆至少包含一半导体膜位于一埋入绝缘层上，该埋入绝缘层位于一基材上，且该半导体膜包含至少两区域；覆盖该至少两区域的至少一者中的该半导体膜，以提供具有一第一厚度的至少一半导体膜覆盖部分，并且保留暴露该至少两区域的至少一者中的半导体膜，以提供具有该第一厚度的至少一半导体膜暴露部分；氧化该至少一暴露半导体膜部分的至少一部份，以提供至少一部份氧化、暴露半导体膜部分；以及去除该暴露半导体膜的该氧化部分，以保留具有少于该第一厚度的一第二厚度的该半导体膜的一部份，而形成该多厚度绝缘层上半导体。