[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号: | 200410008036.0 | 申请日: | 2004-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN1527407A | 公开(公告)日: | 2004-09-08 |
| 发明(设计)人: | 高瀨贤司 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L33/00;H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种半导体装置,其中半导体芯片被安装到包括图案化布线的基板上,并且整体用树脂密封,其中通过在基板的顶部处的端面上形成用于屏蔽的导电图案,并且使这种导电图案粘附到提供有这样半导体装置的设备的电路板上的接地面图案的区域,既使不使用屏蔽罩也能够屏蔽半导体装置。在这种情况下,通过在导电图案上方施加具有良好屏蔽特性的材料例如镀金,能够增加对电磁干扰的灵敏度并改善屏蔽效果(抗电磁干扰效果)。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体装置,其中一个或多个半导体芯片被安装到包括图案化布线的一个或多个基板上,并且整体用一个或多个树脂密封,其中:在至少一个所述一个或多个基板的顶部的一个或多个端面上形成用于屏蔽的一个或多个导电图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





